从现有水平看，硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术，包括6英寸MOCVD设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓DROOP效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。

在硅衬底上做氮化镓LED，按照目前效率和成本预测，将分为三个阶段：到2010年将达到90~100lm/W,平均1W的芯片成本约1元；到2015年将达到120~140lm/W， 平均1W的芯片成本将降到2010年的1/2；到2020年将达到160~200lm/W， 平均1W的芯片成本将降到2010年的1/3。到那时，如果用LED替代60W的白炽灯，芯片的价格约1.5元。当然这有个前提，即发展出减缓DROOP效应的发光结构，这是目前任何一种衬底外延氮化镓LED要解决的共性问题。

　　目前硅衬底的功率型LED做成白光的效率普遍是70~80lm/W， 量产的芯片以0.2毫米x0.2毫米的蓝绿光芯片为主，还没有发现发展高效率硅衬底LED存在物理上的瓶颈。从微观上来分析，最近国际上一流水平的外延材料位错密度TDD约6×108cm -2 ，我们的硅衬底LED也在这个范围；从宏观方面看，硅衬底LED在高电流密度下性能稳定。

　　从现有水平看，硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术，包括6英寸MOCVD设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓DROOP效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。

（摘自中国半导体照明网http://www.china-led.net）