广东省半导体光源产业协会

外廷与芯片: 江风益：需解决硅衬底做LED芯片几大关键技术 (2010-12-23); LED芯片技术的发展 (2010-12-23); GaN衬底技术的新进展及应用 (2010-12-23); Formation chemistry of high-density nanocraters on the surface of sapphire ... (2010-12-23); Highly efﬁcient GaN-based light emitting diodes with micropits (2010-12-23); 硅衬底LED芯片主要制造工艺 (2010-12-23); 蓝宝石硅晶圆供不应求 LED芯片价格大涨 (2010-12-23); 台湾LED芯片制造商开始生产大功率LED芯片 (2010-12-23); Cree照明级多芯片组件新品XLamp® MP-L 和MC-E取得技术性突破 (2010-12-23); AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片研制 (2010-12-23); 零功耗LED保护芯片研制成功 (2010-12-23); 乾照光电5.5亿投资红黄光LED芯片 (2010-12-23); LED价高涨近一半小企业面临“大考” (2010-12-23); 晶电新样式LED芯片，可使TV背光模块成本下降40% (2010-12-23); MOCVD激增引发LED产业风险　硬件设备待突破 (2010-12-23); 晶电预计2011年LED芯片产能仍不够 (2010-12-23); 联景光电顺利开出第一根蓝宝石晶体 (2010-12-23); 真明丽LED绿色照明及LED外延芯片项目正式落户吉林 (2010-12-23); 三星再度将92亿美元投向半导体照明上游芯片领域 (2010-12-23)